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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2852
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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