RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2852
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link