RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
56
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2321
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link