RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2901
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link