RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2901
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link