RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3222
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link