RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2336
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link