RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
41
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2336
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Mushkin 991586 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link