RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1484
2336
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link