RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
41
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2336
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link