RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3736
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link