RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link