RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link