A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    2 left arrow 12.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 52
    Wokół strony -79% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 1,145.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 4200
    Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    52 left arrow 29
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,614.5 left arrow 12.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,145.9 left arrow 9.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    409 left arrow 2443
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania