RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
52
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2494
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link