RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2438
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link