RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
48
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
19
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3905
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link