RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
62
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
62
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
1808
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link