RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
44
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
18
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3529
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link