RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
61
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,903.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,668.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,903.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
735
2866
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link