RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
37
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
1949
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link