RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
37
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
37
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
9.5
Скорость записи, Гб/сек
12.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
1949
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link