RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
94
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
94
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1390
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link