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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
61
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,903.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,668.9
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,903.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
735
2866
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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