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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Comparez
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Note globale
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
61
Autour de -49% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,903.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
41
Vitesse de lecture, GB/s
4,668.9
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,903.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
735
3114
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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