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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
61
Por volta de -49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,903.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
41
Velocidade de leitura, GB/s
4,668.9
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,903.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
735
3114
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
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