RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
61
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,903.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,668.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,903.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
735
3114
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link