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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
总分
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
61
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,903.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
30
读取速度,GB/s
4,668.9
15.8
写入速度,GB/s
1,903.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
735
2866
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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