RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
59
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
4200
Wokół strony 6.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
59
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
25600
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2181
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link