RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
66
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3306
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link