RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
66
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3306
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link