RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3098
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link