RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
66
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3542
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link