RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2740
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link