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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
66
左右 -164% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
25
读取速度,GB/s
2,775.5
15.2
写入速度,GB/s
1,557.9
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2740
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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