RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3115
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link