RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2875
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link