RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
40
Intorno 38% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
40
Velocità di lettura, GB/s
12.5
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
2875
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link