RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de 38% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
2875
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link