RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1877
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link