RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3540
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link