RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
70
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
70
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1934
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link