RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
70
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
70
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
1934
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-160.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link