RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3039
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link