RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3039
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link