RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3020
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link