RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2925
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link