RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около -175% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2925
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link