RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2731
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link