RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
66
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2737
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link