RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2953
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link