RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4322
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link