RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3402
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link